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深圳市中立信电子科技有限公司
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MRFE6VP100HR5 射频管 NXP
MRFE6VP100HR5
NXP（恩智浦）
NI-780-4
无铅环保型
贴片式
单件包装
超大功率
超高频
NPN型
150 ℃
- 40 ℃
100 W
相关产品
产品信息
MRFE6VP100HR5
RF Power LDMOS Transistors
High Ruggedness N--Channel
Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
MRFE6VP100HR5 RF power transistors designed for both narrowband and broadband ISM,
broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to
2000 MHz. These devices are fabricated using Freescaleís enhanced
ruggedness platform and are suitable for use in applications where high VSWRs
are encountered.
Features MRFE6VP100HR5
• Wide Operating Frequency Range
• Extremely Rugged
• Unmatched, Capable of Very Broadband Operation
• Integrated Stability Enhancements
• Low Thermal Resistance
• Integrated ESD Protection Circuitry
• In Tape and Reel. R5 Suffix = 50 Units, 56 mm Tape Width, 13 inch Reel.
型号: MRFE6VP100HR5
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 无铅环保
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 141 V
技术: Si
增益: 26 dB
输出功率: 100 W
工作温度: - 40 ℃
工作温度: + 150 ℃
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780-4
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1800 MHz to 2000 MHz
系列: MRFE6VP100H
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
单位重量: 6.396 g
