- 非IC关键词
深圳市中立信电子科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.zlxele.com
收藏本公司 人气：689086
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：16年
- 叶先生
- 电话：0755-23956688
- 手机：13410226883
- 王先生
- 电话：0755-23956688
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室
- 传真：0755-23956688
- E-mail：Lee@zlxele.com
产品分类
- 超高频/高频三极管(18)
- 复合(达林顿)三极管(2)
- 其他三极管(55)
- 单向可控硅(晶闸管)(2)
- 双向可控硅(晶闸管)(16)
- 可控硅(晶闸管)模块(10)
- 其他电位器(9)
- 模块电源/电源模块(1)
- 其他微调/预调电位器(1)
- 背板连接器(1)
- 气体放电管(1)
- 其他继电器(1)
- 红外线发射管(1)
- 光电光耦合器(光耦)(11)
- LED器件(54)
- 其它LED相关产品（服务）(1)
- 整体式PLC(1)
MRF8S18120HSR3 RF晶体管 NXP
MRF8S18120HSR3
NXP（恩智浦）
NI-780
无铅环保型
贴片式
单件包装
超大功率
超高频
NPN型
相关产品
产品信息
MRF8S18120HSR3
RF Power Field Effect Transistors
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies
from 1805 to 1880 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all MRF8S18120HSR3
typical cellular base station modulation formats.
Features MRF8S18120HSR3
• Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters and Common Source S--Parameters
• Internally Matched for Ease of Use
• Integrated ESD Protection
• Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• Optimized for Doherty Applications
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
型号: MRF8S18120HSR3
制造商: NXP产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 800 mA
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V
技术: Si
增益: 18.2 dB
输出功率: 72 W
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1.805 GHz to 1.88 GHz
系列: MRF8S18120H
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
单位重量: 4.763 g
