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深圳市中立信电子科技有限公司
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AFT21S230SR3 射频管 NXP
AFT21S230SR3
NXP（恩智浦）
NI780S
无铅环保型
贴片式
单件包装
超大功率
超高频
NPN型
250
4.611 g
MOSFETs
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产品信息
AFT21S230SR3
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
These AFT21S230SR3 50 W RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications covering the frequency range of 2110 to 2170 MHz.
Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ = 1500 mA, Pout = 50 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Features AFT21S230SR3
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
Optimized for Doherty Applications
NI--780S--2L2L, NI--780S--2L4S: R3 Suffix = 250 Units, 44 mm Tape Width, 13--inch Reel.
NI--780S--2L: R3 Suffix = 250 Units, 56 mm Tape Width, 13--inch Reel. For R5 Tape and Reel options, see p. 17.
型号: AFT21S230SR3
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 无铅环保
技术: Si
封装: Reel
系列: AFT21S230S
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
单位重量: 4.611 g
