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深圳市中立信电子科技有限公司
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AFT05MP075NR1 射频管 NXP
AFT05MP075NR1
NXP（恩智浦）
TO-270-WB-4
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
大功率
高频
NPN型
76 W
18.5 dB
7.3 S
相关产品
产品信息
AFT05MP075NR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
RF Power LDMOS Transistors
High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
Features AFT05MP075NR1
Characterized for Operation from 136 to 520 MHz
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
Integrated ESD Protection
Integrated Stability Enhancements
Wideband — Full Power Across the Band
Exceptional Thermal Performance
Extreme Ruggedness
High Linearity for: TETRA, SSB, LTE
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13--inch Reel.
Typical Applications
Output Stage VHF Band Mobile Radio
Output Stage UHF Band Mobile Radio
型号: AFT05MP075NR1
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 无铅环保
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 3 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 40 V
技术: Si
增益: 18.5 dB
输出功率: 76 W
工作温度: - 40 ℃
工作温度: + 150 ℃
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-WB-4
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 136 MHz to 520 MHz
系列: AFT05MP075N
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
正向跨导 - 值: 7.3 S
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
单位重量: 1.635 g
