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深圳市中立信电子科技有限公司
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MRF1K50HR5 射频管 NXP
MRF1K50HR5
NXP（恩智浦）
NI-1230H-4S
无铅环保型
贴片式
单件包装
超大功率
超高频
NPN型
1.5 kW
23.7 dB
1.667 kW
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产品信息
MRF1K50HR5
RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub--GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 500 MHz.
Features MRF1K50HR5
• High drain--source avalanche energy absorption capability
• Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
• Device can be used single--ended or in a push--pull configuration
• Characterized from 30 to 50 V for ease of use
• Suitable for linear application
• Integrated ESD protection with greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
• Recommended driver: MRFE6VS25N (25 W) MRF1K50HR5
• Lower thermal resistance part available: MRF1K50N
• Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
型号: MRF1K50HR5
制造商: NXP
单位重量: 0.001 mg
