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深圳市中立信电子科技有限公司
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A2T09D400-23NR6 射频管 NXP
A2T09D400-23NR6
NXP（恩智浦）
OM-1230-4L2S
无铅环保型
直插式
单件包装
超大功率
超高频
NPN型
2.7 A
93 W
- 40 ℃
相关产品
产品信息
A2T09D400-23NR6
RF Power LDMOS Transistor
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 716-960 MHz, 93 W AVG., 28 V
This 93 W symmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 716 to 960 MHz.
800 MHz
Typical Doherty Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Vdc,
IDQA = 1200 mA, VGSB = 1.12 Vdc, Pout = 93 W Avg., Input Signal
PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Features A2T09D400-23NR6
Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems A2T09D400-23NR6
型号: A2T09D400-23NR6
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 2.7 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 70 V
技术: Si
增益: 17.9 dB
输出功率: 93 W
工作温度: - 40 ℃
工作温度: + 150 ℃
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: OM-1230-4L2S-7
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 716 MHz to 960 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 150
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
单位重量: 5.285 g