深圳市中立信电子科技有限公司

16年

深圳市中立信电子科技有限公司

卖家积分:24001分-25000分营业执照:已审核经营模式:贸易/代理/分销所在地区:广东 深圳企业网站:
http://www.zlxele.com

收藏本公司 人气:711114

企业档案

  • 相关证件:营业执照已审核 
  • 会员类型:
  • 会员年限:16年
  • 叶先生 QQ:2270672799
  • 电话:0755-23956688
  • 手机:13410226883
  • 王先生 QQ:3383957101
  • 电话:0755-23956688
  • 阿库IM:
  • 地址:深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室
  • 传真:0755-23956688
  • E-mail:Lee@zlxele.com

产品分类

优势库存(1000)普通库存(79813)集成电路(IC)(294)电源IC(283)半导体存储器(70)二极管(145)三极管(75)场效应管MOSFET(66)可控硅IGBT(28)单片机(292)电阻器(26)电感器(3)电位器(9)电源/稳压器(1)微调电位器(1)石英晶体器件(79)连接器/接插件(1)开关(5)传感器(26)保险丝(85)放电管(1)变压器(2)继电器(1)放大器(105)光电子/光纤/激光(12)LED(55)PLC/可编程控制器(1)其他未分类(884)
SMBJ8.5CA ESD抑制器/TVS二极管 Littelfuse
SMBJ8.5CA ESD抑制器/TVS二极管 Littelfuse
<>

SMBJ8.5CA ESD抑制器/TVS二极管 Littelfuse

型号/规格:

SMBJ8.5CA

品牌/商标:

Littelfuse

封装形式:

DO-214AA-2

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

Pd-功率耗散:

600 W

工作温度:

- 65 C

工作温度:

150 C

Ipp - 峰值脉冲电流:

41.7 A

PDF资料:

点击下载PDF

产品信息

SMBJ8.5CA

ESD 抑制器/TVS 二极管 8.5Vr 600W 41.7A 5% BiDirectional


The SMBJ8.5CASMBJ is designed specifically to protect sensitive electronic equipment from voltage transients induced by lightning and other transient voltage events.

型号:SMBJ8.5CA

制造商:Littelfuse

产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管

RoHS: 无铅环保 

系列:SMBJ

极性:Bidirectional

端接类型:SMD/SMT

击穿电压:10.4 V

工作电压:8.5 V

钳位电压:14.4 V

Ipp - 峰值脉冲电流:41.7 A

封装 / 箱体:DO-214AA-2

Pd-功率耗散:600 W

工作温度:- 65 ℃

工作温度:+ 150 ℃

封装:Cut Tape

封装:Reel

商标:Littelfuse 

产品类型:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 

工厂包装数量:3000 

子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 

单位重量:93 mg


SMBJ8.5CA  Parameter Symbol Value Unit

Peak Pulse Power Dissipation at

TA=25oC by 10/1000μs Waveform

(Fig.2)(Note 1), (Note 2), (Note 5)

PPPM 600 W

Power Dissipation on Infinite Heat

Sink at TL

=50OC PD 5.0 W

Peak Forward Surge Current, 8.3ms

Single Half Sine Wave (Note 3) I

FSM 100 A

Maximum Instantaneous Forward

Voltage at 50A for Unidirectional

Only (Note 4)

VF 3.5/5.0 V

Operating Temperature Range TJ -65 to 150 °C

Storage Temperature Range TSTG -65 to 175 °C

Typical Thermal Resistance Junction

to Lead RθJL 20 °C/W

Typical Thermal Resistance Junction

to Ambient RθJA 100 °C/W