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深圳市中立信电子科技有限公司
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NSV40200LT1G 双极晶体管 ON
NSV40200LT1G
ON（安森美）
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
PNP型
100 MHz
710 mW
- 55 ℃
150 ℃
产品信息
NSV40200LT1G
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHANBE (CN1) XTR
40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSV40200LT1G ON Semiconductor’s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.
NSV40200LT1G Features
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
型号: NSV40200LT1G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: - 40 V
集电极—基极电压 VCBO: - 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 7 V
集电极—射极饱和电压: - 0.135 V
直流电集电极电流: - 4 A
增益带宽产品fT: 100 MHz
工作温度: - 55 ℃
工作温度: + 150 ℃
系列: NSS40200L
封装: Cut Tape
包装: Reel
商标: ON Semiconductor
CNHTS: 8541210000
直流集电极/Base Gain hfe Min: 250 at - 10 mA at - 2 V
HTS Code: 8541210095
MXHTS: 85412101
Pd-功率耗散: 710 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
TARIC: 8541210000
单位重量: 8 mg
