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深圳市中立信电子科技有限公司
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TBC857B,LM 双极晶体管 Toshiba
TBC857B,LM
TOSHIBA（东芝）
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
PNP型
: 320 mW
: 80 MHz
: - 50 V
: - 5 V
产品信息
TBC857B,LM
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT PNP -0.15A -50V
Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, T a = 25 ) TBC857B,LM
Characteristics Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current (pulsed) Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature (Note 1) Symbol VCBO VCEO VEBO ICICPIBPCTj Tstg Rating -50 -50 -5 -150 -200 -30 320 150 -55 to 150 Unit VVV mA mA mW
型号: TBC857B,LM
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: - 50 V
集电极—基极电压 VCBO: - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
集电极—射极饱和电压: - 220 mV
直流电集电极电流: - 150 mA
增益带宽产品fT: 80 MHz
工作温度: + 150 C
系列: TBC8X7
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Toshiba
集电极连续电流: - 150 mA
Pd-功率耗散: 320 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg
Applications TBC857B,LM
• Low-Frequency Amplifiers
