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深圳市中立信电子科技有限公司
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BUL58D 双极结型晶体管
BUL58D
ST（意法半导体）
TO-220
无铅环保型
直插式
Through Hole
NPN型
: 9 V
: 450 V
: 8 A
: + 150 C
产品信息
BUL58D
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
DESCRIPTION
The BUL58D is manufactured using high voltage
Multi Epitaxial Planar technology to enhance
switching speeds while maintaining a wide
RBSOA.
The BUL series is designed for use in lighting
applications and low cost switch-mode power
supplies.
■ STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPE
■ NPN TRANSISTOR
■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY
■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
■ MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS
■ VERY HIGH SWITCHING SPEED
■ FULLY CHARACTERISED AT 125oC
■ HIGH RUGGEDNESS
■ INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATIONS BUL58D
■ ELECTRONIC TRANSFORMERS FOR
HALOGEN LAMPS
■ ELECTRONIC BALLASTS FOR
FLUORESCENT LIGHTING
■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
集电极—发射极电压 VCEO: 450 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 9 V
直流电集电极电流: 8 A
工作温度: + 150 C
系列: BUL58D
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min: 5
Pd-功率耗散: 85000 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
单位重量: 2.300 g
