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深圳市中立信电子科技有限公司
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DTC143EEBTL 双极晶体管
DTC143EEBTL
ROHM（罗姆）
EMT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
NPN型
: 4.7 kOhms
: 100 mA
: 150 mW
: + 150 C
产品信息
DTC143EEBTL
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
Features DTC143EEBTL
1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 4.7kΩ
2) Built-in bias resistors enable the configuration of
an inverter circuit without connecting external
input resistors (see inner circuit) .
3) Only the on/off conditions need to be set
for operation, making the circuit design easy.
4) Complementary PNP Types: DTA143E series
Electrical characteristics (Ta = 25°C) DTC143EEBTL
Parameter Symbol Conditions Values Unit Min. Typ. Max. Input voltage VI(off) VCC = 5V, IO = 100μA - - 0.5 V VI(on) VO = 0.3V, IO = 20mA 3.0 - - Output voltage VO(on) IO / II = 10mA / 0.5mA - 100 300 mV Input current II VI = 5V - - 1.8 mA Output current IO(off) VCC = 50V, VI = 0V - - 500 nA DC current gain GI VO = 5V, IO = 10mA 30 - - - Input resistance R1 - 3.29 4.7 6.11 kΩ Resistance ratio R2 /R1 - 0.8 1.0 1.2 - Transition frequency fT *1 VCE = 10V, IE = -5mA, f = 100MHz - 250 - MHz
型号: DTC143EEBTL
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 预偏置
RoHS: 无铅环保
配置: Single
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 4.7 kOhms
典型电阻器比率: 1
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: EMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min: 30
集电极—发射极电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mA
Pd-功率耗散: 150 mW
工作温度: + 150 C
系列: DTC143EEB
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: ROHM Semiconductor
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: DTC143EEB
