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深圳市中立信电子科技有限公司
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2SD1664T100R 双极晶体管
2SD1664T100R
ROHM（罗姆）
SOT89
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
NPN型
: BJTs - Bipolar Transistors
: 150 MHz
: - 55 C
: + 150 C
产品信息
2SD1664T100R
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power Transistor (32V, 1A)
Features 2SD1664T100R
1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.15V (typical).
(IC /IB = 500mA/50mA)
2) Complements the
2SB1132 / 2SB1237.
Structure 2SD1664T100R
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
Electrical characteristics (Ta = 25C)
Packaging specifications and hFE
hFE values are classified as follows :
Electrical characteristic curves
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
型号: 2SD1664T100R
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 32 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
直流电集电极电流: 1 A
增益带宽产品fT: 150 MHz
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 值: 390
高度: 1.5 mm
长度: 4.5 mm
封装: Cut Tape
封装: Reel
宽度: 2.5 mm
商标: ROHM Semiconductor
集电极连续电流: 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 82
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 130.500 mg
