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深圳市中立信电子科技有限公司
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TBAT54C 肖特基二极管 Toshiba
TBAT54C
TOSHIBA（东芝）
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
: 200 mA
: 0.45 V
: 2 uA
: 320 mW
相关产品
产品信息
TBAT54C
肖特基二极管与整流器 Small-Signal Schotky 0.2A 30V
型号: TBAT54C
制造商: Toshiba
产品种类: 肖特基二极管与整流器
RoHS: 无铅环保
产品: Schottky Diodes
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
If - 正向电流: 200 mA
Vrrm - 重复反向电压: 35 V
Vf - 正向电压: 0.45 V
Ifsm - 正向浪涌电流: 1 A
配置: Dual Common Cathode
技术: Si
Ir - 反向电流 : 2 uA
工作温度: + 150 C
系列: TBAT54
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Toshiba
CNHTS: 8541100000
HTS代码: 8541100080
MXHTS: 85411001
Pd-功率耗散: 320 mW
产品类型: Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量: 3000
子类别: Diodes & Rectifiers
TARIC: 8541100000
Vr - 反向电压 : 30 V
单位重量: 8 mg
Applications TBAT54C
• Ultra-High-Speed Switching
TBAT54C Schottky barrier diodes (SBDs) have reverse leakage greater than other types of diodes. This makes SBDs more susceptible to thermal runaway under high-temperature and high-voltage conditions. Thus, both forward and reverse power losses of SBDs should be considered for thermal and safety design.
Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, T a = 25 ) Characteristics Peak reverse voltage Reverse voltage Average rectified current Peak forward current Non-repetitive peak forward surge current Power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VRM VRIOIFM IFSM PDTj Tstg Note (Note 3) (Note 3) (Note 1), (Note 3) (Note 2), (Note 3) Rating 35 30 200 3001 320 150 -55 to 150 Unit V mAA mW
