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深圳市中立信电子科技有限公司
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NTR4170NT1G MOSFET ON
NTR4170NT1G
ON（安森美）
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
1.25 W
4.76 nC
- 55 ℃
150 ℃
相关产品
产品信息
NTR4170NT1G
MOSFET NFET SOT23 30V 4A TR
30 V, 3.1 A, Single N−Channel, SOT−23
NTR4170NT1G Features
• Low RDS(on)
• Low Gate Charge
• Low Threshold Voltage
• Halide Free
• This is a Pb−Free Device
NTR4170NT1G Applications
• Power Converters for Portables
• Battery Management
• Load/Power Switch
型号: NTR4170NT1G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 4.76 nC
工作温度: - 55 ℃
工作温度: + 150 ℃
配置: Single
Pd-功率耗散: 1.25 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
包装: Reel
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: NTR4170N
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 值: 8 S
CNHTS: 8541210000
下降时间: 3.5 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85423999
产品类型: MOSFET
上升时间: 9.9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
TARIC: 8542399000
典型关闭延迟时间: 15.1 ns
典型接通延迟时间: 6.4 ns
单位重量: 1.438 g
