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深圳市中立信电子科技有限公司
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NDFP03N150CG MOSFET ON
NDFP03N150CG
ON（安森美）
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
2.5 A
10.5 Ohms
1.5 kV
34 nC
相关产品
产品信息
NDFP03N150CG
MOSFET N-CH Power MOSFET 1500V 2.5A
N-Channel Power MOSFET 1500V, 2.5A, 10.5Ω, TO-220F-3FS
型号: NDFP03N150CG
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
工作温度: + 150 ℃
配置: Single
Pd-功率耗散: 32 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: NDFP03N150C
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 44 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 148 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 6 g
NDFP03N150CG Features
• On-resistance RDS(on)=8Ω(typ.)
• Input Capacitance Ciss=650pF(typ.)
• 10V drive
NDFP03N150CG Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C
Parameter Symbol Conditions Ratings Unit
Drain to Source Voltage VDSS 1500 V
Gate to Source Voltage VGSS ±30 V
Drain Current (DC) ID 2.5 A
Drain Current (DC) Limited by Package IDL 2 A
Drain Current (Pulse) IDP PW≤10μs, duty cycle≤1% 5 A
Allowable Power Dissipation PD
2 W
Tc=25°C 32 W
Channel Temperature Tch 150 °C
Storage Temperature Tstg - 55 to +150 °C
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
EAS 20 mJ
Avalanche Current *2
IAV 2 A
