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深圳市中立信电子科技有限公司
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NTMFS5C430NLT1G MOSFET ON
NTMFS5C430NLT1G
ON（安森美）
DFN-5
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
40 V
200 A
2.2 mOhms
70 nC
相关产品
产品信息
NTMFS5C430NLT1G
Power MOSFET NFET SO8FL 40 V, 1.4 m, 200 A, Single N−Channel
NTMFS5C430NLT1G Features
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
型号: NTMFS5C430NLT1G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-FL-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 200 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 70 nC
工作温度: - 55 ℃
工作温度: + 175 ℃
配置: Single
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 140 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
NTMFS5C430NLT1G MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter Symbol Value Unit
Drain−to−Source Voltage VDSS 40 V
Gate−to−Source Voltage VGS ±20 V
Continuous Drain
Current RJC
(Notes 1, 3) Steady
State
TC = 25°C ID 200 A
TC = 100°C 140
Power Dissipation
RJC (Note 1)
TC = 25°C PD 110 W
TC = 100°C 53
Continuous Drain
Current RJA
(Notes 1, 2, 3) Steady
State
TA = 25°C ID 38 A
TA = 100°C 27
Power Dissipation
RJA (Notes 1 & 2)
TA = 25°C PD 3.8 W
TA = 100°C 1.9
Pulsed Drain Current TA = 25°C, tp = 10 s IDM 900 A
Operating Junction and Storage Temperature TJ, Tstg −55 to +175 °C Sou
