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深圳市中立信电子科技有限公司
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NGTB10N60R2DT4G IGBT晶体管 ON
NGTB10N60R2DT4G
ON（安森美）
无铅环保型
1.7 V
+/- 20 V
20 A
72 W
产品信息
NGTB10N60R2DT4G
IGBT 晶体管 RC2 IGBT 10A 600V DPAK 600V, 10A, N-Channel
型号: NGTB10N60R2DT4G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 无铅环保
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 20 A
Pd-功率耗散: 72 W
工作温度: + 175 ℃
封装: Cut Tape
包装: Reel
集电极连续电流 Ic: 10 A
商标: ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
单位重量: 350 mg
NGTB10N60R2DT4G Features
Reverse Conducting II IGBT
IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=10A, VGE=15V]
IGBT tf=65ns (typ)
Diode VF=1.5V (typ) [IF=10A]
Diode trr=90ns (typ)
5s Short Circuit Capability
NGTB10N60R2DT4G Applications
General Purpose Inverter
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25C, Unless otherwise specified
Parameter Symbol Value Unit
Collector to Emitter Voltage VCES 600 V
Gate to Emitter Voltage VGES 20 V
Collector Current (DC) @Tc=25C *2 IC *1 20 A
Limited by Tjmax @Tc=100C *2 10 A
Collector Current (Peak) ICP 40 A
Pulse width Llimited by Tjmax
Diode Average Output Current IO 10 A
Power Dissipation PD 72 W
Tc=25C (Our ideal heat dissipation condition) *2
Junction Temperature Tj 175 C
Storage Temperature Tstg 55 to +175 C
