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深圳市中立信电子科技有限公司
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FCD360N65S3R0 MOSFET ON
FCD360N65S3R0
ON（安森美）
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
650 V
360 mOhms
30 V
18 nC
相关产品
产品信息
FCD360N65S3R0
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm ON Semiconductor
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 m
FCD360N65S3R0 Description
SUPERFETIII MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Consequently, SUPERFET III MOSFET Easy drive series helps manage EMI issues and allows for easier design implementation.
FCD360N65S3R0 Features
• 700 V @ TJ= 150C
• Typ. RDS(on)= 310 m
• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 18 nC)
• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.)= 173 pF)
• 100% Avalanche Tested
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
FCD360N65S3R0 Applications
• Computing / Display Power Supplies
• Telecom / Server Power Supplies
• Industrial Power Supplies
• Lighting / Charger / Adapter
