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深圳市中立信电子科技有限公司
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FDN302P MOSFET ON安森美
FDN302P
ON（安森美）
SSOT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
20 V
2.4 A
55 mOhms
12 V
相关产品
产品信息
FDN302P
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).
Applications
• Power management
• Load switch
• Battery protection
Features
• –20 V, –2.4 A.
RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = –2.5 V
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint
型号: FDN302P
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 2.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
工作温度: - 55 ℃
工作温度: + 150 ℃
配置: Single
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: FDN302P
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.4 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 值: 10 S
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: FDN302P_NL
单位重量: 30 mg
