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深圳市中立信电子科技有限公司
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T2N7002AK,LM MOSFET Toshiba
T2N7002AK,LM
TOSHIBA（东芝）
SOT-23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
: 1 Channel
: 60 V
: 200 mA
: 0.27 nC
相关产品
产品信息
T2N7002AK,LM
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type MOSFET Small-signal
○ High Speed Switching Applications T2N7002AK,LM
• ESD protected gate
• Low ON-resistance RDS(on) = 2.8 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)
RDS(on) = 3.1 Ω (typ.) (@VGS = 5 V)
RDS(on) = 3.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)
T2N7002AK,LM Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Symbol Rating Unit Drain–source voltage VDSS 60 V Gate–source voltage VGSS ± 20 V Drain current (Note1) DC ID 200 mA Pulse IDP (Note 2) 760 Power dissipation PD (Note 3) 320 mW PD (Note 4) 1000 Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature Tstg −55 to 150 °C
型号: T2N7002AK,LM
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3.9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 0.27 nC
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 2.9 mm
系列: T2N7002
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Toshiba
正向跨导 - 值: 450 mS
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 7 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
单位重量: 38 mg
