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深圳市中立信电子科技有限公司
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SSM3K335R,LF MOSFET Toshiba
SSM3K335R,LF
TOSHIBA（东芝）
SOT-23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
: 30 V
: 6 A
: 1 Channel
: N-Channel
相关产品
产品信息
SSM3K335R,LF
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)
Applications SSM3K335R,LF
• Power Management Switches
• DC-DC Converters
Features SSM3K335R,LF
(1) 4.5-V gate drive voltage.
(2) Low drain-source on-resistance
: RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
Characteristics Drain-source voltage Gate-source voltage Drain current (DC) Drain current (pulsed) Power dissipation Power dissipation Channel temperature Storage temperature (t ≤ 10 s) (Note 1) (Note 1,2) (Note 3) (Note 3) Symbol VDSS VGSS ID IDP PD PD Tch Tstg Rating 30 ±20 6 14 1 2 150 -55 to 150 Unit V A W W
型号: SSM3K335R,LF
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 56 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 2.7 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 2.9 mm
系列: SSM3K335
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 8 mg
