- 非IC关键词
深圳市中立信电子科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.zlxele.com
收藏本公司 人气：700652
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：16年
- 叶先生
- 电话：0755-23956688
- 手机：13410226883
- 王先生
- 电话：0755-23956688
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室
- 传真：0755-23956688
- E-mail：Lee@zlxele.com
产品分类
- 超高频/高频三极管(18)
- 复合(达林顿)三极管(2)
- 其他三极管(55)
- 单向可控硅(晶闸管)(2)
- 双向可控硅(晶闸管)(16)
- 可控硅(晶闸管)模块(10)
- 其他电位器(9)
- 模块电源/电源模块(1)
- 其他微调/预调电位器(1)
- 背板连接器(1)
- 气体放电管(1)
- 其他继电器(1)
- 红外线发射管(1)
- 光电光耦合器(光耦)(11)
- LED器件(54)
- 其它LED相关产品（服务）(1)
- 整体式PLC(1)
TK40E06N1,S1X MOSFET Toshiba
TK40E06N1,S1X
TOSHIBA（东芝）
TO-220
无铅环保型
直插式
Through Hole
60 V
60 A
10.4 mOhms
23 nC
相关产品
产品信息
TK40E06N1,S1X
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
型号: TK40E06N1,S1X
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
Pd-功率耗散: 67 W
配置: Single
高度: 15.1 mm
长度: 10.16 mm
系列: TK40E06N1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.45 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified) TK40E06N1,S1X
Characteristics Drain-source voltage Gate-source voltage Drain current (DC) Drain current (DC) Drain current (pulsed) Power dissipation Single-pulse avalanche energy Avalanche current Channel temperature Storage temperature (Silicon limit) (t = 1 ms) (Tc = 25) (Note 1), (Note 2) (Note 1), (Note 3) (Note 1) (Note 4) Symbol VDSS VGSS ID ID IDP PD EAS IAR Tch Tstg Rating 60 ±20 60 40 125 67 40 40 150 -55 to 150 Unit V A W mJ A
Applications TK40E06N1,S1X
• Switching Voltage Regulators
Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(2) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)
