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深圳市中立信电子科技有限公司
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TK4A60D(STA4,Q,M) MOSFET Toshiba
TK4A60D(STA4,Q,M)
TOSHIBA（东芝）
TO-220FP
无铅环保型
直插式
单件包装
: 1 Channel
: N-Channel
: 600 V
: 4 A
相关产品
产品信息
TK4A60D(STA4,Q,M)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) MOSFET 600V 2.5s IDSS 10 uA
Switching Regulator Applications TK4A60D(STA4,Q,M)
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.4 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 2.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600 V)
• Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) TK4A60D(STA4,Q,M)
Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 600 V Gate-source voltage VGSS ±30 V DC (Note 1) ID 4 Drain current Pulse (Note 1) IDP 16 A Drain power dissipation (Tc = 25°C) PD 35 W Single pulse avalanche energy (Note 2) EAS 187 mJ Avalanche current IAR 4 A Repetitive avalanche energy (Note 3) EAR 3.5 mJ Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C
型号: TK4A60D(STA4,Q,M)
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.7 Ohms
配置: Single
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK4A60D
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
