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深圳市中立信电子科技有限公司
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TK34E10N1,S1X MOSFET Toshiba
TK34E10N1,S1X
TOSHIBA（东芝）
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
: 100 V
: 75 A
: 10 V
: 103 W
相关产品
产品信息
TK34E10N1,S1X
MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
型号: TK34E10N1,S1X
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Pd-功率耗散: 103 W
配置: Single
高度: 15.1 mm
长度: 10.16 mm
系列: TK34E10N1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.45 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
Static Characteristics (Ta = 25 unless otherwise specified) TK34E10N1,S1X
Characteristics Gate leakage current Drain cut-off current Drain-source breakdown voltage Drain-source breakdown voltage Gate threshold voltage Drain-source on-resistance (Note 4) Symbol IGSS IDSS V(BR)DSS V(BR)DSX Vth RDS(ON) Test Condition VGS = ±20 V, VDS = 0 V VDS = 100 V, VGS = 0 V ID = 10 mA, VGS = 0 V ID = 10 mA, VGS = -20 V VDS = 10 V, ID = 0.5 mA VGS = 10 V, ID = 17 A Min 100 65 2.0 Typ. 7.9 Max ±0.1 10 4.0 9.5 Unit μA V mΩ
Source-Drain Characteristics (Ta = 25 unless otherwise specified) TK34E10N1,S1X
Characteristics Reverse drain current (DC) Reverse drain current (pulsed) Diode forward voltage Reverse recovery time Reverse recovery charge (Note 5) (Note 5) (Note 6) (Note 6) Symbol IDR IDRP VDSF trr Qrr Test Condition IDR = 34 A, VGS = 0 V IDR = 34 A, VGS = 0 V -dIDR/dt = 100 A/μs Min Typ. 61 110 Max 34 147 -1.2 Unit A V ns nC
