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深圳市中立信电子科技有限公司
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TIP122 达林顿晶体管 ST
TIP122
ST（意法半导体）
无铅环保型
: 100 V
: 5 V
: 100 V
: 200 uA
产品信息
TIP122
达林顿晶体管 NPN Complementary Power Darlington transistors
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage
■ Complementary NPN - PNP transistors
Applications
■ General purpose linear and switching
Description
The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
型号: TIP122
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 无铅环保
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
直流电集电极电流: 5 A
集电极截止电流: 200 uA
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
工作温度: + 150 C
系列: TIP122
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min: 1000
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 6 g
Symbol Parameter Value Unit NPN TIP120 TIP121 TIP122 PNP TIP125 TIP126 TIP127 VCBO Collector-base voltage (IE = 0) 60 80 100 V VCEO Collector-emitter voltage (IB = 0) 60 80 100 V VEBO Emitter-base voltage (IC = 0) 5 V IC Collector current 5 A ICM Collector peak current 8 A IB Base current 0.12 A PTOT Total dissipation at Tc ≤ 25 °C Tamb ≤ 25 °C 65 2 W Tstg Storage temperature -65 to 150 °C TJ Max. operating junction temperature 150
