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深圳市中立信电子科技有限公司
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RK7002BMT116 MOSFET ROHM
RK7002BMT116
ROHM（罗姆）
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
: 10 V
: 250 mA
: - 55 C
: + 150 C
相关产品
产品信息
RK7002BMT116
MOSFET 2.5V Drive Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET
Features RK7002BMT116
1) Very fast switching
2) Ultra low voltage drive (2.5V drive)
3) ESD protection up to 2kV (HBM)
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
5) Halogen Free.
Application
Switching circuits
Low-side loadswitch
Relay driver
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) RK7002BMT116
Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS 60 V Continuous drain current ID ±250 mA Pulsed drain current IDP *1 ±1 A Gate - Source voltage VGSS ±20 V Power dissipation PD *2 350 mW PD *3 200 mW Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃
型号: RK7002BMT116
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 250 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: RK7002BM
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 值: 250 ms
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 3.5 ns
零件号别名: RK7002BM
单位重量: 8 mg
