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深圳市中立信电子科技有限公司
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A2I20D040GNR1 射频放大器 NXP
1.4 GHz to 2.2 GHz
32.1 dB
28 V
220 mA
- 40 ℃
150 ℃
相关产品
产品信息
A2I20D040GNR1
射频放大器 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1400-2200 MHz, 5.0 W Avg., 28 V
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
The A2I20D040GNR1 wideband integrated circuit is designed with on--chip matching that makes it usable from 1400 to 2200 MHz. This multi --stage structure is rated for 20 to 32 V operation and covers all typical cellular base station modulation formats.
Features A2I20D040GNR1
Extremely Wide RF Bandwidth
RF Decoupled Drain Pins Reduce Overall Board Space
On--Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)
Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function (2)
型号: A2I20D040GNR1
制造商: NXP
产品种类: 射频放大器
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270WBG-17
类型: RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
工作频率: 1.4 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点: 45.6 dBm
增益: 32.1 dB
工作电源电压: 28 V
测试频率: 1.9 GHz
工作电源电流: 220 mA
工作温度: - 40 ℃
工作温度: + 150 ℃
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: NXP / Freescale
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 500
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量: 598.100 mg