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深圳市中立信电子科技有限公司
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BFU668F,115 双极晶体管 NXP
BFU668F,115
NXP（恩智浦）
SOT-343F
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
NPN型
20 GHz
2.5 V
16 V
200
产品信息
BFU668F,115
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN wideband silicon RF transistor
NPN wideband silicon RF transistor
Product profile BFU668F,115
1.1 General description
NPN silicon microwave transistor in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package offering an innovative Ku-band DRO solution.
1.2 Features and benefits
DROs with good output power and low phase noise at very low current consumption: 5 dBm and 55 dBc/Hz/1 kHz at 12 mA
Low-noise, high gain for low cost LNA solutions
40 GHz fT silicon technology
1.3 Applications BFU668F,115
Ku-band DROs in Ku-band LNBs
C-band, low current LNAs
型号: BFU668F,115
制造商: NXP
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343F-4
晶体管极性: NPN
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 5.5 V
集电极—基极电压 VCBO: 16 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2.5 V
增益带宽产品fT: 20 GHz
工作温度: + 150 ℃
直流电流增益 hFE 值: 200
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
集电极连续电流: 40 mA
CNHTS: 8541290000
直流集电极/Base Gain hfe Min: 90
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
Pd-功率耗散: 200 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
TARIC: 8541290000
单位重量: 7 mg