深圳市中立信电子科技有限公司

2SCR522EBTL

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose Amplification Transistor

NPN 200mA 20V General Purpose Transistor 

Features 2SCR522EBTL

1) General Purpose.

2) Complementary PNP Types:

2SAR522M (VMT3) / 2SAR522EB (EMT3F) /

2SAR522UB (UMT3F)

Application 2SCR522EBTL

GENERAL PURPOSE SMALL SIGNALAMPLIFIER

Electrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter Symbol Conditions

Values Unit Min. Typ. Max.

Collector-base breakdown voltage

BVCBO IC = 50μA 20 - - V

Collector-emitter breakdown voltage

BVCEO IC = 1mA 20 - - V

Emitter-base breakdown voltage BVEBO IE = 50μA 5 - - V

Collector cut-off current ICBO VCB = 20V - - 100 nA

Emitter cut-off current IEBO VEB = 5V - - 100 nA

Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC = 100mA, IB = 10mA - 120 300 mV

DC current gain hFE VCE = 2V, IC = 1mA 120 - 560 -

Transition frequency fT

VCE = 10V, IE = -10mA, f = 100MHz - 400 - MHz

Output capacitance Cob

VCB = 10V, IE = 0A, f = 1MHz - 2.0 - pF

型号: 2SCR522EBTL 

制造商: ROHM Semiconductor 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-416FL-3 

晶体管极性: NPN 

配置: Single 

集电极—发射极电压 VCEO: 20 V 

集电极—基极电压 VCBO: 20 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 

集电极—射极饱和电压: 120 mV 

直流电集电极电流: 200 mA 

增益带宽产品fT: 400 MHz 

工作温度: - 

工作温度: + 150 C 

系列: 2SCR522EB 

直流电流增益 hFE 值: 560  

封装: Cut Tape  

封装: Reel  

商标: ROHM Semiconductor  

集电极连续电流: 200 mA  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120  

Pd-功率耗散: 150 mW  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

零件号别名: 2SCR522EB  

单位重量: 6 mg