深圳市中立信电子科技有限公司

16年

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NDFP03N150CG MOSFET ON
NDFP03N150CG MOSFET ON
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NDFP03N150CG MOSFET ON

型号/规格:

NDFP03N150CG

品牌/商标:

ON(安森美)

封装形式:

TO-220F

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

单件包装

Id-连续漏极电流:

2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:

10.5 Ohms

Vds-漏源极击穿电压:

1.5 kV

Qg-栅极电荷:

34 nC

产品信息

NDFP03N150CG

MOSFET N-CH Power MOSFET 1500V 2.5A

N-Channel Power MOSFET  1500V, 2.5A, 10.5Ω, TO-220F-3FS


型号: NDFP03N150CG

制造商: ON Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220F-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV 

Id-连续漏极电流: 2.5 A 

Rds On-漏源导通电阻: 10.5 Ohms 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Qg-栅极电荷: 34 nC 

工作温度: + 150 ℃ 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 32 W 

通道模式: Enhancement 

封装: Tube 

系列: NDFP03N150C  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: ON Semiconductor  

下降时间: 44 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 148 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

单位重量: 6 g


NDFP03N150CG Features

• On-resistance RDS(on)=8Ω(typ.)

• Input Capacitance Ciss=650pF(typ.)

• 10V drive


NDFP03N150CG Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C

Parameter Symbol Conditions Ratings Unit

Drain to Source Voltage VDSS 1500 V

Gate to Source Voltage VGSS ±30 V

Drain Current (DC) ID 2.5 A

Drain Current (DC) Limited by Package IDL 2 A

Drain Current (Pulse) IDP PW≤10μs, duty cycle≤1% 5 A

Allowable Power Dissipation PD

2 W

Tc=25°C 32 W

Channel Temperature Tch 150 °C

Storage Temperature Tstg - 55 to +150 °C

Avalanche Energy (Single Pulse) *1

 EAS 20 mJ

Avalanche Current *2

 IAV 2 A