NTR4003NT1G MOSFET ON_深圳市中立信电子科技有限公司

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NTR4003NT1G MOSFET ON

型号/规格：

NTR4003NT1G

品牌/商标：

ON（安森美）

封装形式：

SOT-23

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

Pd-功率耗散：

690 mW

Qg-栅极电荷：

1.15 nC

工作温度：

- 55 ℃

工作温度：

150 ℃

询价

产品信息

NTR4003NT1G

Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N−Channel, SOT−23

MOSFET NFET 30V .56A 1500M

型号: NTR4003NT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 无铅环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 560 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 1.15 nC

工作温度: - 55 ℃

工作温度: + 150 ℃

配置: Single

Pd-功率耗散: 690 mW

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

系列: NTR4003N

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: FETs - MOSFET - N-Channel

宽度: 1.3 mm

商标: ON Semiconductor

正向跨导 - 值: 0.33 S

下降时间: 64.2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 47.9 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 65.1 ns

典型接通延迟时间: 16.7 ns

单位重量: 8 mg

NTR4003NT1G Features

• Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design

• Low Gate Charge for Fast Switching

• ESD Protected Gate

• SOT−23 Package Provides Excellent Thermal Performance

• Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V

• NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

NTR4003NT1G Applications

• Notebooks:

♦ Level Shifters

♦ Logic Switches

♦ Low Side Load Switches

• Portable Applications

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