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深圳市中立信电子科技有限公司
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SMMBTA56LT1G 晶体管 ON
SMMBTA56LT1G
ON（安森美）
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
PNP型
- 80 V
- 4 V
- 0.25 V
- 500 mA
产品信息
SMMBTA56LT1G
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS DR XSTR SPCL TR
SMMBTA56LT1G Features
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
SMMBTA56LT1G MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit Collector−Emitter Voltage MMBTA55 MMBTA56, SMMBTA56 VCEO −60 −80 Vdc Collector−Base Voltage MMBTA55 MMBTA56, SMMBTA56 VCBO −60 −80 Vdc Emitter−Base Voltage VEBO −4.0 Vdc Collector Current − Continuous IC −500 mAdc
型号: SMMBTA56LT1G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: - 80 V
集电极—基极电压 VCBO: - 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 4 V
集电极—射极饱和电压: - 0.25 V
直流电集电极电流: - 500 mA
增益带宽产品fT: 50 MHz
工作温度: - 55 ℃
工作温度: + 150 ℃
系列: MMBTA56L
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: - 500 mA
CNHTS: 8541210000
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100
HTS Code: 8541210095
MXHTS: 85412101
Pd-功率耗散: 300 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
TARIC: 8541210000
单位重量: 8 mg
