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深圳市中立信电子科技有限公司
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SS8050DBU 双极晶体管 ON
SS8050DBU
ON（安森美）
TO-92
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
NPN型
40 V
6 V
0.5 V
1.5 A
产品信息
SS8050DBU
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/40V/1.5A
NPN Epitaxial Silicon Transistor
SS8050DBU Features
• 2 W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.
• Complimentary to SS8550
• Collector Current: IC = 1.5 A
SS8050DBU Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.
型号: SS8050DBU
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 25 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 0.5 V
直流电集电极电流: 1.5 A
增益带宽产品fT: 100 MHz
工作温度: - 65 ℃
工作温度: + 150 ℃
系列: SS8050
直流电流增益 hFE 值: 300
高度: 4.7 mm
长度: 4.7 mm
封装: Bulk
宽度: 3.93 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 1.5 A
CNHTS: 8541210000
直流集电极/Base Gain hfe Min: 85
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
Pd-功率耗散: 1 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 10000
子类别: Transistors
TARIC: 8541290000
零件号别名: SS8050DBU_NL
单位重量: 179 mg
