深圳市中立信电子科技有限公司

T2N7002AK,LM

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type  MOSFET Small-signal

○ High Speed Switching Applications T2N7002AK,LM

• ESD protected gate

• Low ON-resistance RDS(on) = 2.8 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(on) = 3.1 Ω (typ.) (@VGS = 5 V)

RDS(on) = 3.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

T2N7002AK,LM Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  

Characteristic Symbol Rating Unit  Drain–source voltage VDSS 60 V  Gate–source voltage VGSS ± 20 V  Drain current (Note1)  DC ID 200  mA  Pulse IDP (Note 2) 760  Power dissipation  PD (Note 3) 320 mW  PD (Note 4) 1000  Channel temperature Tch 150 °C  Storage temperature Tstg −55 to 150 °C

型号: T2N7002AK,LM

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 60 V 

Id-连续漏极电流: 200 mA 

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 Ohms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Qg-栅极电荷: 0.27 nC 

工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 1 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 0.9 mm  

长度: 2.9 mm  

系列: T2N7002  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 1.3 mm  

商标: Toshiba  

正向跨导 - 值: 450 mS  

下降时间: 24 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 3 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 7 ns  

典型接通延迟时间: 2 ns  

单位重量: 38 mg