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TK100E10N1,S1X MOSFET Toshiba
TK100E10N1,S1X
TOSHIBA（东芝）
TO-220-3
无铅环保型
直插式
Through Hole
: 207 A
: 100 V
: 10 V
: 140 nC
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产品信息
TK100E10N1,S1X
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
Applications TK100E10N1,S1X
• Switching Voltage Regulators
Features TK100E10N1,S1X
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(2) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)
Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)
Characteristics Drain-source voltage Gate-source voltage Drain current (DC) Drain current (DC) Drain current (pulsed) Power dissipation Single-pulse avalanche energy Avalanche current Channel temperature Storage temperature (Silicon limit) (t = 1 ms) (Tc = 25) (Note 1,2) (Note 1,3) (Note 1) (Note 4) Symbol VDSS VGSS ID ID IDP PD EAS IAR Tch Tstg Rating 100 ±20 207 100 434 255 222 100 150 -55 to 150 Unit V A W mJ A
型号: TK100E10N1,S1X
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 207 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 140 nC
配置: Single
商标名: DTMOSIV
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 15.1 mm
长度: 10.16 mm
系列: TK100E10N1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.45 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
