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TK17A80W,S4X MOSFET Toshiba
TK17A80W,S4X
TOSHIBA（东芝）
TO-220FP-3
无铅环保型
直插式
单件包装
: 800 V
: 17 A
: 32 nC
: 45 W
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产品信息
TK17A80W,S4X
MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
Applications TK17A80W,S4X
• Switching Voltage Regulators
Features TK17A80W,S4X
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.25
Ω (typ.)
by using Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, I
D = 0.85mA)
Source-Drain Characteristics (T a = 25 unless otherwise specified)
Characteristics Diode forward voltage Reverse recovery time Reverse recovery charge Peak reverse recovery current Diode dv/dt ruggedness Symbol VDSF trr Qrr Irr dv/dt Test Condition IDR = 17 A, VGS = 0 V VDD ≈ 640 V IDR = 8.5 A, VGS = 0 V -dIDR/dt = 100 A/ μ s VDS ≤ 640 V, IDR ≤ 8.5 A, VGS = 0 V Min 6 Typ. 3606 30 Max -1.7 Unit V ns μCA V/ns
型号: TK17A80W,S4X
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 32 nC
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
封装: Tube
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK17A80W
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 24 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 58 ns
单位重量: 2 g
