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TK20A60W,S5VX MOSFET Toshiba
TK20A60W,S5VX
TOSHIBA（东芝）
TO-220FP-3
无铅环保型
直插式
单件包装
: 130 mOhms
: 45 W
: 20 A
: 600 V
相关产品
产品信息
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Applications TK20A60W,S5VX
• Switching Voltage Regulators
Features TK20A60W,S5VX
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.13
Ω (typ.)
by used to Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, I
D = 1 mA)
Absolute Maximum Ratings (Note) (T a = 25 unless otherwise specified)
Characteristics Drain-source voltage Gate-source voltage Drain current (DC) Drain current (pulsed) Power dissipation Single-pulse avalanche energy Avalanche current Reverse drain current (DC) Reverse drain current (pulsed) Channel temperature Storage temperature Isolation voltage (RMS) Mounting torque (T c = 25 ) (t = 1.0 s) (Note 1) (Note 1) (Note 2) (Note 1) (Note 1) Symbol VDSS VGSS IDIDP PD EAS IAR IDR IDRP Tch Tstg VISO(RMS) TOR Rating 600 ±30 20 80 45 3005 20 80 150 -55 to 150 2000 0.6 Unit VAW mJAV N m
型号: TK20A60W,S5VX
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 48 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK20A60W
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 6 g
