TK58E06N1,S1X MOSFET Toshiba_深圳市中立信电子科技有限公司

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产品分类

TK58E06N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格：

TK58E06N1,S1X

品牌/商标：

TOSHIBA（东芝）

封装形式：

TO-220

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

Through Hole

Pd-功率耗散：

: 110 W

Qg-栅极电荷：

: 46 nC

Id-连续漏极电流：

: 105 A

Vds-漏源极击穿电压：

: 60 V

询价

产品信息

TK58E06N1,S1X

MOSFET 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified) TK58E06N1,S1X

TK58E06N1,S1X Characteristics Drain-source voltage Gate-source voltage Drain current (DC) Drain current (DC) Drain current (pulsed) Power dissipation Single-pulse avalanche energy Avalanche current Channel temperature Storage temperature (Silicon limit) (t = 1 ms) (Tc = 25) (Note 1), (Note 2) (Note 1), (Note 3) (Note 1) (Note 4) Symbol VDSS VGSS ID ID IDP PD EAS IAR Tch Tstg Rating 60 ±20 105 58 268 110 158 58 150 -55 to 150 Unit V A W mJ A 

型号: TK58E06N1,S1X

制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS: 无铅环保

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 105 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 46 nC

Pd-功率耗散: 110 W

配置: Single

高度: 15.1 mm

长度: 10.16 mm

系列: TK58E06N1

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.45 mm

商标: Toshiba

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

单位重量: 6 g

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