- 非IC关键词
深圳市中立信电子科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.zlxele.com
收藏本公司 人气：706354
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：16年
- 叶先生
- 电话：0755-23956688
- 手机：13410226883
- 王先生
- 电话：0755-23956688
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室
- 传真：0755-23956688
- E-mail：Lee@zlxele.com
产品分类
- 超高频/高频三极管(18)
- 复合(达林顿)三极管(2)
- 其他三极管(55)
- 单向可控硅(晶闸管)(2)
- 双向可控硅(晶闸管)(16)
- 可控硅(晶闸管)模块(10)
- 其他电位器(9)
- 模块电源/电源模块(1)
- 其他微调/预调电位器(1)
- 背板连接器(1)
- 气体放电管(1)
- 其他继电器(1)
- 红外线发射管(1)
- 光电光耦合器(光耦)(11)
- LED器件(54)
- 其它LED相关产品（服务）(1)
- 整体式PLC(1)
TK7A65D(STA4,Q,M) MOSFET
TK7A65D(STA4,Q,M)
TOSHIBA（东芝）
TO-220FP
无铅环保型
直插式
Through Hole
: 650 V
: 980 mOhms
: 45 W
: 7 A
相关产品
产品信息
TK7A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98 Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)
Switching Regulator Applications TK7A65D(STA4,Q,M)
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.8 Ω(typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 650 V)
• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
型号: TK7A65D(STA4,Q,M)
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 980 mOhms
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK7A65D
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) TK7A65D(STA4,Q,M)
Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 650 V Gate-source voltage VGSS ±30 V DC (Note 1) ID 7 Drain current Pulse (Note 1) IDP 28 A Drain power dissipation (Tc = 25°C) PD 45 W Single pulse avalanche energy (Note 2) EAS 273 mJ Avalanche current IAR 7 A Repetitive avalanche energy (Note 3) EAR 4.5 mJ Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C
