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深圳市中立信电子科技有限公司
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2SA1832-GR,LF(B 双极晶体管
2SA1832-GR,LF(B
TOSHIBA（东芝）
SOT-426
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
PNP型
: - 150 mA
: 80 MHz
: 100 mW
: 2.400 mg
产品信息
2SA1832-GR,LF(B
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
2SA1832-GR,LF(B
• High voltage and high current: VCEO = −50 V, IC = −150 mA (max)
• Excellent hFE linearity: hFE (IC = −0.1 mA)/ hFE (IC = −2 mA)
= 0.95 (typ.)
• High hFE: hFE = 70 to 400
• Complementary to 2SC4738
• Small package
型号: 2SA1832-GR,LF(B
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-426-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: - 50 V
集电极—基极电压 VCBO: - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
集电极—射极饱和电压: - 100 mV
直流电集电极电流: - 150 mA
增益带宽产品fT: 80 MHz
工作温度: + 125 C
系列: 2SA1832
直流电流增益 hFE 值: 400 at - 2 mA, - 6 V
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70 at - 2 mA, - 6 V
Pd-功率耗散: 100 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 2.400 mg
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 2SA1832-GR,LF(B
Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO −50 V Collector-emitter voltage VCEO −50 V Emitter-base voltage VEBO −5 V Collector current IC −150 mA Base current IB −30 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction temperature Tj 125 °C Storage temperature range Tstg −55 to 125 °C
