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深圳市中立信电子科技有限公司
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TTC5200(Q) 双极晶体管
TTC5200(Q)
TOSHIBA（东芝）
TO-3P
无铅环保型
直插式
Through Hole
NPN型
: 230 V
: 30 MHz
: 150 mW
: 3 V
产品信息
TTC5200(Q)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 15A 150W 230V
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
○ Power Amplifier Applications TTC5200(Q)
• High collector voltage: VCEO = 230 V (min)
• Complementary to TTA1943
• Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage.
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) TTC5200(Q)
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 230 V
Collector-emitter voltage VCEO 230 V
Emitter-base voltage VEBO 5 V
Collector current IC 15 A
Base current IB 1.5 A
Collector power dissipation (Tc=25°C) PC 150 W
Junction temperature Tj 150 °C
Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) TTC5200(Q)
Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Collector cut-off current ICBO VCB = 230V, IE = 0 ― ― 5.0 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB = 5 V, IC = 0 ― ― 5.0 μA
Collector-emitter breakdown voltage V (BR) CEO IC = 50 mA, IB = 0 230 ― ― V
hFE (1) VCE = 5 V, IC = 1 A 80 ― 160
DC current gain
hFE (2) VCE = 5 V, IC = 7 A 35 ― ―
Collector-emitter saturation voltage VCE (sat) IC = 8 A, IB = 0.8 A ― ― 3.0 V
Base-emitter voltage VBE VCE = 5 V, IC = 7 A ― ― 1.5 V
Transition frequency fT VCE = 5 V, IC = 1 A ― 30 ― MHz
Collector output capacitance Cob VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz ― 145 ― pF
