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深圳市中立信电子科技有限公司
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TMBT3904,LM 双极晶体管
TMBT3904,LM
TOSHIBA（东芝）
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
NPN型
: 1 W
: 300 MHz
: - 55 C
: + 150 C
产品信息
TMBT3904,LM
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications TMBT3904,LM
High voltage and high current
: VCEO = 50 V, IC = 200 mA (max)
Complementary to TMBT3906
型号: TMBT3904,LM
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 50 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 300 mV
直流电集电极电流: 150 mA
增益带宽产品fT: 300 MHz
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: TMBT3904
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 1 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter voltage VCEO 50 V Emitter-base voltage VEBO 5 V Collector current IC 200 mA Base current IB 30 mA Collector power dissipation PC (Note 1) 320 mW PC (Note 2) 1000 mW Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C