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TMBT3904,LM

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications TMBT3904,LM

 High voltage and high current

: VCEO = 50 V, IC = 200 mA (max)

 Complementary to TMBT3906

型号: TMBT3904,LM

制造商: Toshiba 

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

晶体管极性: NPN 

配置: Single 

集电极—发射极电压 VCEO: 50 V 

集电极—基极电压 VCBO: 60 V 

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 

集电极—射极饱和电压: 300 mV 

直流电集电极电流: 150 mA 

增益带宽产品fT: 300 MHz 

工作温度: - 55 C 

工作温度: + 150 C 

系列: TMBT3904 

封装: Cut Tape  

封装: Reel  

商标: Toshiba  

Pd-功率耗散: 1 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 8 mg

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  

Characteristics Symbol Rating Unit  Collector-base voltage VCBO 60 V  Collector-emitter voltage VCEO 50 V  Emitter-base voltage VEBO 5 V  Collector current IC 200 mA  Base current IB 30 mA  Collector power dissipation  PC (Note 1) 320 mW  PC (Note 2) 1000 mW  Junction temperature Tj 150 °C  Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C