深圳市中立信电子科技有限公司

16年

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LCMXO2-1200HC-4MG132I FPGA
LCMXO2-1200HC-4MG132I FPGA
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LCMXO2-1200HC-4MG132I FPGA

分布式RAM:

10 kbit

内嵌式块RAM - EBR:

64 kbit

工作电源电压:

2.5 V/3.3 V

工作电源电流:

3.49 mA

工作温度:

- 40 ℃

工作温度:

100 ℃

产品信息

LCMXO2-1200HC-4MG132I

FPGA - 现场可编程门阵列 1280 LUTs 105 I/O 3.3V -4 SPD


Features LCMXO2-1200HC-4MG132I

 Flexible Logic Architecture

• Six devices with 256 to 6864 LUT4s and

18 to 334 I/Os

 Ultra Low Power Devices

• Advanced 65 nm low power process

• As low as 22 μW standby power

• Programmable low swing differential I/Os

• Stand-by mode and other power saving options

 Embedded and Distributed Memory

• Up to 240 kbits sysMEM™ Embedded Block

RAM LCMXO2-1200HC-4MG132I

• Up to 54 kbits Distributed RAM

• Dedicated FIFO control logic

 On-Chip User Flash Memory

• Up to 256 kbits of User Flash Memory

• 100,000 write cycles

• Accessible through WISHBONE, SPI, I2

C and LCMXO2-1200HC-4MG132I

JTAG interfaces

• Can be used as soft processor PROM or as

Flash memory

 Pre-Engineered Source Synchronous I/O

• DDR registers in I/O cells

• Dedicated gearing logic

• 7:1 Gearing for Display I/Os

• Generic DDR, DDRX2, DDRX4

• Dedicated DDR/DDR2/LPDDR memory with

DQS support

 High Performance, Flexible I/O Buffer

• Programmable sysIO™ buffer supports wide

range of interfaces:

– LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2

– LVTTL

– PCI

– LVDS, Bus-LVDS, MLVDS, RSDS, LVPECL

– SSTL 25/18

– HSTL 18

– Schmitt trigger inputs, up to 0.5 V hysteresis