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深圳市中立信电子科技有限公司
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STF10NM60N MOSFET STM
STF10NM60N
ST（意法半导体）
TO-220
无铅环保型
直插式
Tube
: 650 V
: 10 A
: 19 nC
: 550 mOhms
相关产品
产品信息
STF10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 Ω typ., 10 A MDmesh™ II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Applications
• Switching applications
Features STF10NM60N
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
型号: STF10NM60N
制造商: STMicroelectronics产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 19 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
系列: STF10NM60N
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 330 mg
