深圳市中立信电子科技有限公司

STP30NF10

MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp

Description STP30NF10

This Power MOSFET is the latest development of  STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  strip-based process. The resulting transistor  shows extremely high packing density for low onresistance,  rugged avalanche characteristics and  less critical alignment steps therefore a  remarkable manufacturing reproducibility.

Applications

■ Switching application

General features 

■ Exceptional dv/dt capability

■ 100% avalanche tested

■ Application oriented characterization

型号: STP30NF10 

制造商: STMicroelectronics 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 100 V 

Id-连续漏极电流: 35 A 

Rds On-漏源导通电阻: 38 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

工作温度: - 55 C 

工作温度: + 175 C 

Pd-功率耗散: 115 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

高度: 9.15 mm  

长度: 10.4 mm  

系列: STP30NF10  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 4.6 mm  

商标: STMicroelectronics  

正向跨导 - 值: 10 S  

下降时间: 10 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 40 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 45 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

单位重量: 1.438 g