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深圳市中立信电子科技有限公司
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US6X8TR 双极结型晶体管
US6X8TR
ROHM（罗姆）
SOT-363T
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
NPN型
: 30 V
: 320 MHz
: 1 W
: 1 A
产品信息
US6X8TR
Complex Midium Power Transistor
Features US6X8TR
1)High current
2)Low saturation voltage
VCE(sat) : max.350mV
at IC=500mA/IB=25mA
Electrical characteristics (Ta = 25°C) US6X8TR
Parameter Symbol Conditions
Values Unit Min. Typ. Max.
Collector-base breakdown voltage
BVCBO IC = 10μA 30 - - V
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO IC = 1mA 30 - - V
Emitter-base breakdown voltage BVEBO IE = 10μA 6 - - V
Collector cut-off current ICBO VCB = 30V - - 100 nA
Emitter cut-off current IEBO VEB = 6V - - 100 nA
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC = 500mA, IB = 25mA - 120 350 mV
DC current gain hFE VCE = 2V, IC = 100mA 270 - 680 -
Transition frequency fT VCE = 2V, IE = -100mA, f = 100MHz - 320 - MHz
Output capacitance Cob VCB = 10V, IE = 0A, f = 1MHz - 7 - pF
Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) US6X8TR
Parameter Symbol Values Unit
Collector-base voltage VCBO 30 V
Collector-emitter voltage VCEO 30 V
Emitter-base voltage VEBO 6 V
Collector current IC 1 A ICP *1 2 A
Power dissipation PD
*2 0.4 W/Total PD
*3*4 1.0 W/Total
Junction temperature Tj 150 ℃
Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ℃
