- 非IC关键词
深圳市中立信电子科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.zlxele.com
收藏本公司 人气：696454
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：16年
- 叶先生
- 电话：0755-23956688
- 手机：13410226883
- 王先生
- 电话：0755-23956688
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室
- 传真：0755-23956688
- E-mail：Lee@zlxele.com
产品分类
- 超高频/高频三极管(18)
- 复合(达林顿)三极管(2)
- 其他三极管(55)
- 单向可控硅(晶闸管)(2)
- 双向可控硅(晶闸管)(16)
- 可控硅(晶闸管)模块(10)
- 其他电位器(9)
- 模块电源/电源模块(1)
- 其他微调/预调电位器(1)
- 背板连接器(1)
- 气体放电管(1)
- 其他继电器(1)
- 红外线发射管(1)
- 光电光耦合器(光耦)(11)
- LED器件(54)
- 其它LED相关产品（服务）(1)
- 整体式PLC(1)
MJ11032G 达林顿晶体管 ON
MJ11032G
ON（安森美）
TO-204-2
无铅环保型
直插式
单件包装
NPN型
300 W
50 A
18000
50 A
产品信息
MJ11032G
达林顿晶体管 50A 120V Bipolar Power NPN
High-Current Complementary Silicon Power Transistors
MJ11032G High−Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
MJ11032G Features
• High DC Current Gain −
hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc
hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
• Curves to 100 A (Pulsed)
• Diode Protection to Rated IC
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to +200C
• Pb−Free Packages are Available*
型号: MJ11032G
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 无铅环保
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极电压 VCEO: 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 120 V
直流电集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-204-2 (TO-3)
工作温度: - 55 ℃
工作温度: + 150 ℃
系列: MJ11032
封装: Tray
直流电流增益 hFE 值: 18000
高度: 8.51 mm
长度: 38.86 mm
宽度: 26.67 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 50 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 1000
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
单位重量: 13.835 g
