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深圳市中立信电子科技有限公司
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NGTB10N60R2DT4G IGBT晶体管 ON
型号/规格:NGTB10N60R2DT4G 品牌/商标:ON(安森美) 环保类别:无铅环保型 集电极—射极饱和电压:1.7 V 栅极/发射极电压:+/- 20 V 在25 C的连续集电极电流:20 A Pd-功率耗散:72 W
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NGTB40N120FL2WG IGBT晶体管 ON
型号/规格:NGTB40N120FL2WG 品牌/商标:ON(安森美) 环保类别:无铅环保型 栅极/发射极电压:30 V Pd-功率耗散:535 W 工作温度:- 55 ℃ 工作温度:175 ℃