深圳市中立信电子科技有限公司

STP21N90K5 MOSFET晶体管

型号/规格:STP21N90K5 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Rds On-漏源导通电阻:: 299 mOhms Qg-栅极电荷:: 43 nC Vds-漏源极击穿电压:: 900 V Id-连续漏极电流:: 18.5 A

PSMN2R6-40YS,115 MOSFET

型号/规格:PSMN2R6-40YS,115 品牌/商标:Nexperia 封装形式:LFPAK56-5 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 通道数量:: 1 Channel Id-连续漏极电流:: 100 A Rds On-漏源导通电阻:: 2.6 mOhms Pd-功率耗散:: 131 W

RK7002BMHZGT116 MOSFET

型号/规格:RK7002BMHZGT116 品牌/商标:ROHM（罗姆） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vgs th-栅源极阈值电压:: 1 V Id-连续漏极电流:: 250 mA Vds-漏源极击穿电压:: 60 V Rds On-漏源导通电阻:: 1.7 Ohms

RTR040N03FRA MOSFET 晶体管

型号/规格:RTR040N03FRA 品牌/商标:ROHM（罗姆） 封装形式:SOT-346T 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 产品类型:MOSFET 栅极电阻:6.4 Ω 工作温度:-55 ℃ 工作温度:150 ℃

TIP147 达林顿晶体管 STM

型号/规格:TIP147 品牌/商标:ST（意法半导体） 环保类别:无铅环保型 直流电集电极电流:: 10 A 集电极截止电流:: 1000 uA 集电极—基极电压 VCBO:: 100 V 集电极—发射极电压 VCEO:: 100 V

TIP2955 双极结型晶体管

型号/规格:TIP2955 品牌/商标:ST（意法半导体） 环保类别:无铅环保型 Pd-功率耗散:: 90 W 增益带宽产品fT:: 3 MHz 工作温度:: - 65 ℃ 工作温度:: + 150 ℃

TIP142 达林顿晶体管 ST

型号/规格:TIP142 品牌/商标:ST（意法半导体） 环保类别:无铅环保型 集电极—基极电压 VCBO:: 100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:: 5 V 集电极—发射极电压 VCEO:: 100 V 集电极截止电流:: 1000 uA

STT4PF20V MOSFET 晶体管

型号/规格:STT4PF20V 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Rds On-漏源导通电阻:: 90 mOhms Pd-功率耗散:: 1.6 W Vds-漏源极击穿电压:: 20 V Id-连续漏极电流:: 3 A

TIP122 达林顿晶体管 ST

型号/规格:TIP122 品牌/商标:ST（意法半导体） 环保类别:无铅环保型 集电极—发射极电压 VCEO:: 100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:: 5 V 集电极—基极电压 VCBO:: 100 V 集电极截止电流:: 200 uA

TIP127 达林顿晶体管 ST

型号/规格:TIP127 品牌/商标:ST（意法半导体） 环保类别:无铅环保型 集电极—基极电压 VCBO:: 100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:: 5 V 直流电集电极电流:: 5 A 集电极截止电流:: 200 uA

STP75NF20 MOSFET 晶体管

型号/规格:STP75NF20 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Id-连续漏极电流:: 75 A Rds On-漏源导通电阻:: 34 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:: 20 V 晶体管极性:: N-Channel

STP7NK80Z MOSFET 晶体管

型号/规格:STP7NK80Z 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Id-连续漏极电流:: 5.2 A Pd-功率耗散:: 125 W Rds On-漏源导通电阻:: 1.8 Ohms Qg-栅极电荷:: 40 nC

STP60NF10 MOSFET晶体管

型号/规格:STP60NF10 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Id-连续漏极电流:: 80 A Pd-功率耗散:: 300 W Vds-漏源极击穿电压:: 100 V Rds On-漏源导通电阻:: 23 mOhms

STP30NF10 MOSFET 晶体管

型号/规格:STP30NF10 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Vds-漏源极击穿电压:: 100 V Id-连续漏极电流:: 35 A Rds On-漏源导通电阻:: 38 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:: 20 V

STN4NF03L MOSFET 晶体管

型号/规格:STN4NF03L 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOT-223 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 通道数量:: 1 Channel 晶体管极性:: N-Channel Vds-漏源极击穿电压:: 30 V Id-连续漏极电流:: 6.5 A

STD2HNK60Z-1 MOSFET N-Ch

型号/规格:STD2HNK60Z-1 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-251 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Id-连续漏极电流:: 2 A Rds On-漏源导通电阻:: 4.8 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:: 30 V Qg-栅极电荷:: 11 nC

STF10NM60N MOSFET STM

型号/规格:STF10NM60N 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube Vds-漏源极击穿电压:: 650 V Id-连续漏极电流:: 10 A Qg-栅极电荷:: 19 nC Rds On-漏源导通电阻:: 550 mOhms

STF7LN80K5 MOSFET STM

型号/规格:STF7LN80K5 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Tube 通道数量:: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压:: 800 V Id-连续漏极电流:: 5 A Rds On-漏源导通电阻:: 1.15 Ohms

RK7002BMT116 MOSFET ROHM

型号/规格:RK7002BMT116 品牌/商标:ROHM（罗姆） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vgs - 栅极-源极电压:: 10 V Id-连续漏极电流:: 250 mA 工作温度:: - 55 C 工作温度:: + 150 C

SSM3K339R,LF MOSFET Toshiba

型号/规格:SSM3K339R,LF 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOT-23F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:: 40 V Qg-栅极电荷:: 1.1 nC Id-连续漏极电流:: 2 A Rds On-漏源导通电阻:: 185 mOhms

TPH8R903NL,LQ MOSFET Toshiba

型号/规格:TPH8R903NL,LQ 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Qg-栅极电荷:: 9.8 nC Vgs - 栅极-源极电压:: 20 V 工作温度:: - 55 C 工作温度:: + 150 C

TK9A90E,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK9A90E,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220SIS 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vgs th-栅源极阈值电压:: 4 V Rds On-漏源导通电阻:: 1 Ohms Vds-漏源极击穿电压:: 900 V Vgs - 栅极-源极电压:: 30 V

TPH12008NH,L1Q MOSFET Toshiba

型号/规格:TPH12008NH,L1Q 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:SOP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vds-漏源极击穿电压:: 80 V Id-连续漏极电流:: 44 A Rds On-漏源导通电阻:: 10.1 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压:: 4 V

TK7A90E,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK7A90E,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220SIS 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Qg-栅极电荷:: 32 nC Pd-功率耗散:: 45 W 工作温度:: - 55 ℃ 工作温度:: + 150 ℃

TK42A12N1,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK42A12N1,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole 工作温度:- 55 ℃ 工作温度:150 ℃ Pd-功率耗散:35 W 工厂包装数量:50

TK4A60D(STA4,Q,M) MOSFET Toshiba

型号/规格:TK4A60D(STA4,Q,M) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 通道数量:: 1 Channel 晶体管极性:: N-Channel Vds-漏源极击穿电压:: 600 V Id-连续漏极电流:: 4 A

TK58E06N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK58E06N1,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Pd-功率耗散:: 110 W Qg-栅极电荷:: 46 nC Id-连续漏极电流:: 105 A Vds-漏源极击穿电压:: 60 V

TK5A65D(STA4,Q,M) MOSFET Toshiba

型号/规格:TK5A65D(STA4,Q,M) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vds-漏源极击穿电压:: 650 V Id-连续漏极电流:: 5 A Rds On-漏源导通电阻:: 1.43 Ohms 工厂包装数量:: 50

TK6A65D(STA4,Q,M) MOSFET

型号/规格:TK6A65D(STA4,Q,M) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole 通道数量:: 1 Channel 晶体管极性:: N-Channel Rds On-漏源导通电阻:: 1.11 Ohms Id-连续漏极电流:: 6 A

TK6A80E,S4X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK6A80E,S4X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vds-漏源极击穿电压:: 800 V Id-连续漏极电流:: 6 A Rds On-漏源导通电阻:: 1.35 Ohms Qg-栅极电荷:: 32 nC

TK7A65D(STA4,Q,M) MOSFET

型号/规格:TK7A65D(STA4,Q,M) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vds-漏源极击穿电压:: 650 V Rds On-漏源导通电阻:: 980 mOhms Pd-功率耗散:: 45 W Id-连续漏极电流:: 7 A

TK40E06N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK40E06N1,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:Through Hole Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:10.4 mOhms Qg-栅极电荷:23 nC

TK31J60W,S1VQ MOSFET Toshiba

型号/规格:TK31J60W,S1VQ 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-3PN 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:30.8 A Vgs - 栅极-源极电压:10 V Qg-栅极电荷:105 nC

TK34E10N1,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK34E10N1,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Vds-漏源极击穿电压:: 100 V Id-连续漏极电流:: 75 A Vgs - 栅极-源极电压:: 10 V Pd-功率耗散:: 103 W

TK3R1E04PL,S1X MOSFET Toshiba

型号/规格:TK3R1E04PL,S1X 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 通道数量:: 1 Channel Pd-功率耗散:: 87 W 晶体管极性:: N-Channel Qg-栅极电荷:: 63.4 nC

TK2P60D(TE16L1,NQ) MOSFET

型号/规格:TK2P60D(TE16L1,NQ) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:PW-Mold-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Rds On-漏源导通电阻:: 4.3 Ohms Pd-功率耗散:: 60 W Id-连续漏极电流:: 2 A Vds-漏源极击穿电压:: 600 V

TK2P90E,RQS MOSFET Toshiba

型号/规格:TK2P90E,RQS 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 Vgs th-栅源极阈值电压:: 2.5 V Vgs - 栅极-源极电压:: 30 V Pd-功率耗散:: 80 W Qg-栅极电荷:: 12 nC

TK2Q60D(Q) MOSFET TOSHIBA

型号/规格:TK2Q60D(Q) 品牌/商标:TOSHIBA（东芝） 封装形式:PW-Mold2-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 Id-连续漏极电流:: 2 A Rds On-漏源导通电阻:: 4.3 Ohms 工作温度:: - 55 ℃ 工作温度:: + 150 ℃