MRF1K50HR5 射频管 NXP_深圳市中立信电子科技有限公司

非IC关键词

深圳市中立信电子科技有限公司

: 卖家积分：营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东深圳企业网站：
http://www.zlxele.com

收藏本公司人气：830878

企业档案

相关证件：
会员类型：
会员年限：16年

叶先生
电话：0755-23956688
手机：13410226883

王先生
电话：0755-23956688

阿库IM：
地址：深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室
传真：0755-23956688
E-mail：Lee@zlxele.com

产品分类

MRF1K50HR5 射频管 NXP

型号/规格：

MRF1K50HR5

品牌/商标：

NXP（恩智浦）

封装形式：

NI-1230H-4S

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

单件包装

功率特性：

超大功率

频率特性：

超高频

极性：

NPN型

输出功率：

1.5 kW

增益：

23.7 dB

Pd-功率耗散：

1.667 kW

询价

产品信息

MRF1K50HR5

RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub--GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 500 MHz.

Features MRF1K50HR5

• High drain--source avalanche energy absorption capability

• Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization

• Device can be used single--ended or in a push--pull configuration

• Characterized from 30 to 50 V for ease of use

• Suitable for linear application

• Integrated ESD protection with greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation

• Recommended driver: MRFE6VS25N (25 W) MRF1K50HR5

• Lower thermal resistance part available: MRF1K50N

• Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch

型号: MRF1K50HR5

制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS: 无铅环保

晶体管极性: N-Channel

Id-连续漏极电流: 2.4 A

Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 135 V

技术: Si

增益: 23.7 dB

输出功率: 1.5 kW

工作温度: - 40 ℃

工作温度: + 150 ℃

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: NI-1230H-4S

封装: Cut Tape

包装: Reel

配置: Dual

工作频率: 1.8 MHz to 500 MHz

系列: MRF1K50H

类型: RF Power MOSFET

商标: NXP / Freescale

正向跨导 - 值: 33.5 S

通道数量: 2 Channel

Pd-功率耗散: 1.667 kW

产品类型: RF MOSFET Transistors

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

单位重量: 0.001 mg

深圳市中立信电子科技有限公司

深圳市中立信电子科技有限公司

企业档案

产品分类

集成电路(IC)(294)

电源IC(283)

半导体存储器(70)

二极管(145)

三极管(75)

场效应管MOSFET(66)

可控硅IGBT(28)

单片机(292)

电阻器(26)

电感器(3)

电位器(9)

电源/稳压器(1)

微调电位器(1)

石英晶体器件(79)

连接器/接插件(1)

开关(5)

传感器(26)

保险丝(85)

放电管(1)

变压器(2)

继电器(1)

放大器(105)

光电子/光纤/激光(12)

LED(55)

PLC/可编程控制器(1)

其他未分类(884)

MRF1K50HR5 射频管 NXP

相关产品

产品信息